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N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

美國加州大學(xué)洛杉磯分校（UCLA）和密歇根大學(xué)安娜堡分校聲稱增強(qiáng)模式 N 極性深凹槽（NPDR）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有破紀(jì)錄的小信號性能 [Oguz Odabasi ...

N極深凹槽E型氮化鎵 2025-08-12

GaN HEMT為開關(guān)應(yīng)用帶來低噪聲功率

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)...

GaN HEMT 2025-03-14

50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量...

GaN HEMT GaN 2025-02-21

650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

GaN HEMT TOLL封裝 2025-02-13

CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) ...

CGD ICeGaN HEMT 2023-10-09

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC適配器 2023-07-19

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ICeGaN HEMT

N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

GaN HEMT為開關(guān)應(yīng)用帶來低噪聲功率

50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

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【IEEE里程碑獎】HEMT技術(shù)

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場

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